BSC016N06NSTATMA1 Preços (USD) [62328pcs Estoque]
- 1 pcs$0.62733
- Número da peça:
- BSC016N06NSTATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- DIFFERENTIATED MOSFETS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSC016N06NSTATMA1 electronic components. BSC016N06NSTATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC016N06NSTATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC016N06NSTATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC016N06NSTATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
DIFFERENTIATED MOSFETS
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.3V @ 95µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
95nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6500pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8 FL
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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