AONR21357 Preços (USD) [371706pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09951
- Número da peça:
- AONR21357
- Fabricante:
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21357 electronic components. AONR21357 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AONR21357, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AONR21357 Atributos do produto
Número da peça :
AONR21357
Fabricante :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Ta), 34A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2830pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
5W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-DFN-EP (3x3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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