IRFH7110TRPBF Preços (USD) [144155pcs Estoque]
- 1 pcs$0.38413
- 4,000 pcs$0.38221
- Número da peça:
- IRFH7110TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IRFH7110TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH7110TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta), 58A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
87nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3240pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-TQFN Exposed Pad
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