Infineon Technologies - IRF6648TRPBF

KEY Part #: K6416831

IRF6648TRPBF Preços (USD) [108097pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.48124
  • 4,800 pcs$0.47885

Número da peça:
IRF6648TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6648TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF6648TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 86A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2120pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ MN
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric MN

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