Diodes Incorporated - ZXMN2B01FTA

KEY Part #: K6418449

ZXMN2B01FTA Preços (USD) [687000pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05411
  • 3,000 pcs$0.05384

Número da peça:
ZXMN2B01FTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN2B01FTA Atributos do produto

Número da peça : ZXMN2B01FTA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 625mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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