DMT6010SCT Preços (USD) [60727pcs Estoque]
- 1 pcs$0.64387
- 50 pcs$0.51510
- 100 pcs$0.45071
- 500 pcs$0.33064
- 1,000 pcs$0.26103
- Número da peça:
- DMT6010SCT
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHA 60V 98A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
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DMT6010SCT Atributos do produto
Número da peça :
DMT6010SCT
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CHA 60V 98A TO220
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
98A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
36.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1940pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.3W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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