Infineon Technologies - IPP80N08S207AKSA1

KEY Part #: K6418163

IPP80N08S207AKSA1 Preços (USD) [53764pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.72726
  • 500 pcs$0.69265

Número da peça:
IPP80N08S207AKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80N08S207AKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPP80N08S207AKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4700pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3-1
Pacote / caso : TO-220-3

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