[3464pcs Estoque]
- Número da peça:
- PHK4NQ10T,518
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V SOT96-1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PHK4NQ10T,518 electronic components. PHK4NQ10T,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHK4NQ10T,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHK4NQ10T,518 Atributos do produto
Número da peça :
PHK4NQ10T,518
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 100V SOT96-1
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
880pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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