Vishay Siliconix - IRF9Z30PBF

KEY Part #: K6399968

IRF9Z30PBF Preços (USD) [39965pcs Estoque]

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  • 500 pcs$0.48210
  • 1,000 pcs$0.39946

Número da peça:
IRF9Z30PBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9Z30PBF Atributos do produto

Número da peça : IRF9Z30PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 74W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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