IXFN23N100 Preços (USD) [3072pcs Estoque]
- 1 pcs$14.87831
- 10 pcs$14.80429
- Número da peça:
- IXFN23N100
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFN23N100 electronic components. IXFN23N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN23N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN23N100 Atributos do produto
Número da peça :
IXFN23N100
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
600W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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