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  5. RFP30N06LE

ON Semiconductor - RFP30N06LE

KEY Part #: K6413405

[13112pcs Estoque]

    Número da peça:
    RFP30N06LE
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Zener - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor RFP30N06LE electronic components. RFP30N06LE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFP30N06LE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RFP30N06LE Atributos do produto

    Número da peça : RFP30N06LE
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 30A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
    Vgs (máx.) : +10V, -8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 96W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
    Pacote / caso : TO-220-3

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