NXP USA Inc. - BUK98150-55,135

KEY Part #: K6402524

[2675pcs Estoque]


    Número da peça:
    BUK98150-55,135
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - TRIACs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK98150-55,135 electronic components. BUK98150-55,135 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK98150-55,135, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK98150-55,135 Atributos do produto

    Número da peça : BUK98150-55,135
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
    Series : TrenchMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 5A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (máx.) : ±10V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 8.3W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
    Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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