Vishay Siliconix - SI4778DY-T1-E3

KEY Part #: K6405893

SI4778DY-T1-E3 Preços (USD) [1508pcs Estoque]

  • 2,500 pcs$0.11986

Número da peça:
SI4778DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4778DY-T1-E3 Atributos do produto

Número da peça : SI4778DY-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 13V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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