IPB50R199CPATMA1 Preços (USD) [54961pcs Estoque]
- 1 pcs$0.71142
- 1,000 pcs$0.67987
- Número da peça:
- IPB50R199CPATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 550V 17A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IPB50R199CPATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPB50R199CPATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
550V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 660µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
139W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-3-2
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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