Rohm Semiconductor - BSM600C12P3G201

KEY Part #: K6396083

BSM600C12P3G201 Preços (USD) [82pcs Estoque]

  • 1 pcs$430.30400

Número da peça:
BSM600C12P3G201
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM600C12P3G201 Atributos do produto

Número da peça : BSM600C12P3G201
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 600A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 182mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : +22V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 28000pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2460W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module
Pacote / caso : Module