PSMN2R0-30YL,115 Preços (USD) [195445pcs Estoque]
- 1 pcs$0.18925
- 1,500 pcs$0.16880
- Número da peça:
- PSMN2R0-30YL,115
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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PSMN2R0-30YL,115 Atributos do produto
Número da peça :
PSMN2R0-30YL,115
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.15V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3980pF @ 12V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
97W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso :
SC-100, SOT-669
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