Vishay Siliconix - SQM50P03-07_GE3

KEY Part #: K6396327

SQM50P03-07_GE3 Preços (USD) [69584pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.46414

Número da peça:
SQM50P03-07_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM50P03-07_GE3 Atributos do produto

Número da peça : SQM50P03-07_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5380pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (D²Pak)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB