SQM50P03-07_GE3 Preços (USD) [69584pcs Estoque]
- 1 pcs$0.99090
- 10 pcs$0.89641
- 100 pcs$0.72022
- 500 pcs$0.56017
- 1,000 pcs$0.46414
- Número da peça:
- SQM50P03-07_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQM50P03-07_GE3 electronic components. SQM50P03-07_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM50P03-07_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQM50P03-07_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQM50P03-07_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5380pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (D²Pak)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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