IPP65R190C7FKSA1 Preços (USD) [27915pcs Estoque]
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- 10 pcs$1.35030
- 100 pcs$1.02940
- 500 pcs$0.80066
- 1,000 pcs$0.66340
- Número da peça:
- IPP65R190C7FKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 13A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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IPP65R190C7FKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP65R190C7FKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 13A TO220
Series :
CoolMOS™ C7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 290µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1150pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
72W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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