Diodes Incorporated - BSS138-7-F

KEY Part #: K6421724

BSS138-7-F Preços (USD) [2283794pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.02514
  • 3,000 pcs$0.02502

Número da peça:
BSS138-7-F
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS138-7-F Atributos do produto

Número da peça : BSS138-7-F
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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