ON Semiconductor - FDS6299S

KEY Part #: K6411289

[13842pcs Estoque]


    Número da peça:
    FDS6299S
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Módulos de driver de energia ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FDS6299S electronic components. FDS6299S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6299S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS6299S Atributos do produto

    Número da peça : FDS6299S
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
    Series : PowerTrench®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 21A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3880pF @ 15V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 3W (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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