ON Semiconductor - NTMFS4839NHT3G

KEY Part #: K6408419

[634pcs Estoque]


    Número da peça:
    NTMFS4839NHT3G
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTMFS4839NHT3G Atributos do produto

    Número da peça : NTMFS4839NHT3G
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Ta), 64A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 11.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 43.5nC @ 11.5V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2354pF @ 12V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 870mW (Ta), 42.4W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    Pacote / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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