Diodes Incorporated - BSS123ATC

KEY Part #: K6411192

[13876pcs Estoque]


    Número da peça:
    BSS123ATC
    Fabricante:
    Diodes Incorporated
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Diodes Incorporated BSS123ATC electronic components. BSS123ATC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS123ATC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS123ATC Atributos do produto

    Número da peça : BSS123ATC
    Fabricante : Diodes Incorporated
    Descrição : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 170mA (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 360mW (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
    Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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