IXFH230N10T Preços (USD) [17412pcs Estoque]
- 1 pcs$2.61672
- 90 pcs$2.60370
- Número da peça:
- IXFH230N10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 230A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFH230N10T electronic components. IXFH230N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH230N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH230N10T Atributos do produto
Número da peça :
IXFH230N10T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
230A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
15300pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
650W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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