Número da peça :
IPB036N12N3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
211nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
13800pF @ 60V
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-7
Pacote / caso :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB