2SK536-TB-E Preços (USD) [391236pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09454
- 3,000 pcs$0.08982
- Número da peça:
- 2SK536-TB-E
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 50V 0.1A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor 2SK536-TB-E electronic components. 2SK536-TB-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK536-TB-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SK536-TB-E Atributos do produto
Número da peça :
2SK536-TB-E
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 50V 0.1A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
15pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
200mW (Ta)
Temperatura de operação :
125°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-59
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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