Diodes Incorporated - ZXMN10A07ZTA

KEY Part #: K6411815

ZXMN10A07ZTA Preços (USD) [347533pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10643
  • 1,000 pcs$0.09615

Número da peça:
ZXMN10A07ZTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN10A07ZTA Atributos do produto

Número da peça : ZXMN10A07ZTA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 138pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-89-3
Pacote / caso : TO-243AA

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