Diodes Incorporated - DMP2003UPS-13

KEY Part #: K6403391

DMP2003UPS-13 Preços (USD) [145737pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.25380

Número da peça:
DMP2003UPS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP2003UPS-13 Atributos do produto

Número da peça : DMP2003UPS-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 150A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 177nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8352pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.4W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI5060-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN