ON Semiconductor - NTMD6N02R2G

KEY Part #: K6523245

NTMD6N02R2G Preços (USD) [325745pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.11412
  • 2,500 pcs$0.11355

Número da peça:
NTMD6N02R2G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMD6N02R2G Atributos do produto

Número da peça : NTMD6N02R2G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.92A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 16V
Potência - Max : 730mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC

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