Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-FC80NA20

KEY Part #: K6394510

VS-FC80NA20 Preços (USD) [3234pcs Estoque]

  • 1 pcs$13.38969
  • 160 pcs$12.75207

Número da peça:
VS-FC80NA20
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 108A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FC80NA20 electronic components. VS-FC80NA20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-FC80NA20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-FC80NA20 Atributos do produto

Número da peça : VS-FC80NA20
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : MOSFET N-CH 200V 108A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 108A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 161nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10720pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 405W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC