IXFH10N100P Preços (USD) [19066pcs Estoque]
- 1 pcs$2.49827
- 30 pcs$2.48584
- Número da peça:
- IXFH10N100P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFH10N100P electronic components. IXFH10N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH10N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH10N100P Atributos do produto
Número da peça :
IXFH10N100P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
Series :
HiPerFET™, PolarP2™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3030pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
380W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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