Texas Instruments - CSD13201W10

KEY Part #: K6420806

CSD13201W10 Preços (USD) [674757pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05482
  • 3,000 pcs$0.04762

Número da peça:
CSD13201W10
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD13201W10 Atributos do produto

Número da peça : CSD13201W10
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 462pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.2W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-DSBGA (1x1)
Pacote / caso : 4-UFBGA, DSBGA

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