CSD13201W10 Preços (USD) [674757pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05482
- 3,000 pcs$0.04762
- Número da peça:
- CSD13201W10
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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CSD13201W10 Atributos do produto
Número da peça :
CSD13201W10
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
462pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-DSBGA (1x1)
Pacote / caso :
4-UFBGA, DSBGA
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