[1952pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFH7107TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IRFH7107TR2PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH7107TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
14A (Ta), 75A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3110pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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