IRF7341TRPBF Preços (USD) [170908pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.37002
- 100 pcs$0.27665
- 500 pcs$0.21455
- 1,000 pcs$0.16938
- Número da peça:
- IRF7341TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7341TRPBF electronic components. IRF7341TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7341TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7341TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF7341TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 25V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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