FDP22N50N Preços (USD) [21206pcs Estoque]
- 1 pcs$1.36617
- 10 pcs$1.23396
- 100 pcs$0.94072
- 500 pcs$0.73168
- 1,000 pcs$0.60625
- Número da peça:
- FDP22N50N
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 22A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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FDP22N50N Atributos do produto
Número da peça :
FDP22N50N
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
Series :
UniFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
22A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
312.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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