TPN4R303NL,L1Q Preços (USD) [247410pcs Estoque]
- 1 pcs$0.15701
- 5,000 pcs$0.15623
- Número da peça:
- TPN4R303NL,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TPN4R303NL,L1Q Atributos do produto
Número da peça :
TPN4R303NL,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14.8nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta), 34W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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