Rohm Semiconductor - R6046ANZC8

KEY Part #: K6411144

R6046ANZC8 Preços (USD) [8152pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.58811
  • 360 pcs$5.56031

Número da peça:
R6046ANZC8
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6046ANZC8 Atributos do produto

Número da peça : R6046ANZC8
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 46A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 81 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 120W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PF
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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