Número da peça :
TK17N65W,S1F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 900µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 300V
Dissipação de energia (máx.) :
165W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247