SIHD12N50E-GE3 Preços (USD) [47232pcs Estoque]
- 1 pcs$0.82784
- 10 pcs$0.74673
- 100 pcs$0.60018
- 500 pcs$0.46681
- 1,000 pcs$0.38678
- Número da peça:
- SIHD12N50E-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHAN 500V DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHD12N50E-GE3 electronic components. SIHD12N50E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD12N50E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHD12N50E-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIHD12N50E-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHAN 500V DPAK
Series :
E
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
550V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
886pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
114W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-PAK (TO-252AA)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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