Rohm Semiconductor - SCT2080KEC

KEY Part #: K6406454

SCT2080KEC Preços (USD) [3998pcs Estoque]

  • 1 pcs$8.30697
  • 100 pcs$7.21250

Número da peça:
SCT2080KEC
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SCT2080KEC Atributos do produto

Número da peça : SCT2080KEC
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 117 mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4.4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 106nC @ 18V
Vgs (máx.) : +22V, -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2080pF @ 800V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 262W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3