[12956pcs Estoque]
- Número da peça:
- NTHS2101PT1
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTHS2101PT1 electronic components. NTHS2101PT1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHS2101PT1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTHS2101PT1 Atributos do produto
Número da peça :
NTHS2101PT1
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.4A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 6.4V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ChipFET™
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
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