IRL60B216 Preços (USD) [21302pcs Estoque]
- 1 pcs$1.85535
- 10 pcs$1.65659
- 100 pcs$1.35828
- 500 pcs$1.04349
- 1,000 pcs$0.88005
- Número da peça:
- IRL60B216
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 195A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRL60B216 electronic components. IRL60B216 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL60B216, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL60B216 Atributos do produto
Número da peça :
IRL60B216
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 195A
Series :
HEXFET®, StrongIRFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
195A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
258nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
15570pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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