STL26NM60N Preços (USD) [29323pcs Estoque]
- 1 pcs$1.41257
- 3,000 pcs$1.40554
- Número da peça:
- STL26NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STL26NM60N electronic components. STL26NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL26NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STL26NM60N Atributos do produto
Número da peça :
STL26NM60N
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
Series :
MDmesh™ II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Ta), 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
185 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125mW (Ta), 3W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerFlat™ (8x8) HV
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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