SI1050X-T1-GE3 Preços (USD) [498647pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07455
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- Número da peça:
- SI1050X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1050X-T1-GE3 electronic components. SI1050X-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1050X-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1050X-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI1050X-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.34A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
86 mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.6nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
585pF @ 4V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
236mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-89-6
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
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