SI2308BDS-T1-E3 Preços (USD) [485597pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07617
- 3,000 pcs$0.06474
- Número da peça:
- SI2308BDS-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-E3 electronic components. SI2308BDS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2308BDS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI2308BDS-T1-E3 Atributos do produto
Número da peça :
SI2308BDS-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
156 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.8nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
190pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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