STMicroelectronics - STI26NM60N

KEY Part #: K6399545

STI26NM60N Preços (USD) [16971pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.42826
  • 10 pcs$2.16692
  • 100 pcs$1.77686
  • 500 pcs$1.43883

Número da peça:
STI26NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STI26NM60N Atributos do produto

Número da peça : STI26NM60N
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Series : MDmesh™ II
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 140W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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