IXYS - IXFQ72N20X3

KEY Part #: K6396096

IXFQ72N20X3 Preços (USD) [14498pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.84251

Número da peça:
IXFQ72N20X3
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
200V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ72N20X3 Atributos do produto

Número da peça : IXFQ72N20X3
Fabricante : IXYS
Descrição : 200V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 72A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3780pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 320W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3