IXYS - IXFH90N20X3

KEY Part #: K6398285

IXFH90N20X3 Preços (USD) [14611pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.82048

Número da peça:
IXFH90N20X3
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH90N20X3 Atributos do produto

Número da peça : IXFH90N20X3
Fabricante : IXYS
Descrição : 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.8 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5420pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 390W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3

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