ON Semiconductor - NVMFS5C410NWFT1G

KEY Part #: K6402251

NVMFS5C410NWFT1G Preços (USD) [2769pcs Estoque]

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Número da peça:
NVMFS5C410NWFT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V SO8FL.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C410NWFT1G Atributos do produto

Número da peça : NVMFS5C410NWFT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 40V SO8FL
Series : -
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.92 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN