IPD30N06S2L23ATMA3 Preços (USD) [217041pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17042
- 2,500 pcs$0.16226
- Número da peça:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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IPD30N06S2L23ATMA3 Atributos do produto
Número da peça :
IPD30N06S2L23ATMA3
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1091pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3-11
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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