Cree/Wolfspeed - C3M0065100J-TR

KEY Part #: K6410056

C3M0065100J-TR Preços (USD) [7324pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.62686

Número da peça:
C3M0065100J-TR
Fabricante:
Cree/Wolfspeed
Descrição detalhada:
1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C3M0065100J-TR Atributos do produto

Número da peça : C3M0065100J-TR
Fabricante : Cree/Wolfspeed
Descrição : 1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET
Series : C3M™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 15V
Vgs (máx.) : +15V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 600V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 113.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263-7
Pacote / caso : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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